DTB114ECHZGT116

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTB114ECHZGT116
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
Livret des spécifications:	1.DTB114ECHZGT116.pdf 2.DTB114ECHZGT116.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	307733 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 307733 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.095

10 pcs: $0.085

25 pcs: $0.062

100 pcs: $0.048

250 pcs: $0.03

500 pcs: $0.026

1000 pcs: $0.017

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Spécifications de DTB114ECHZGT116

Modèle de produit	DTB114ECHZGT116	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	307733 pcs	Fiche technique	1.DTB114ECHZGT116.pdf 2.DTB114ECHZGT116.pdf
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA	Transistor Type	PNP - Pre-Biased + Diode
Package composant fournisseur	SST3	Séries	Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2)	10 kOhms	Résistance - Base (R1)	10 kOhms
Puissance - Max	200mW	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	DTB114ECHZGT116CT
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	200MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	56 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	-	Courant - Collecteur (Ic) (max)	500mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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