DTC114TCAHZGT116

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTC114TCAHZGT116
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Livret des spécifications:	1.DTC114TCAHZGT116.pdf 2.DTC114TCAHZGT116.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2574292 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2574292 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de DTC114TCAHZGT116

Modèle de produit	DTC114TCAHZGT116	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2574292 pcs	Fiche technique	1.DTC114TCAHZGT116.pdf 2.DTC114TCAHZGT116.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased + Diode	Package composant fournisseur	SST3
Séries	Automotive, AEC-Q101	Résistance - Base (R1)	10 kOhms
Puissance - Max	350mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	DTC114TCAHZGT116TR
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	250MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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