| Modèle de produit | DTC115TMT2L | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 1721880 pcs | Fiche technique | 1.DTC115TMT2L.pdf2.DTC115TMT2L.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased | Package composant fournisseur | VMT3 |
| Séries | - | Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
| Puissance - Max | 150mW | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-723 | Autres noms | 4823-30680-212 DTC115TMT2L-ND DTC115TMT2LTR Q2976642 |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Fréquence - Transition | 250MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | DTC115 |
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