DTD123YCT116

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTD123YCT116
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
Livret des spécifications:	1.DTD123YCT116.pdf 2.DTD123YCT116.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1559127 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1559127 pcs

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Spécifications de DTD123YCT116

Modèle de produit	DTD123YCT116	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1559127 pcs	Fiche technique	1.DTD123YCT116.pdf 2.DTD123YCT116.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SST3
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	10 kOhms
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms	Puissance - Max	200mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms	DTD123YCMGT116 DTD123YCT116TR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	200MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	56 @ 50mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	500mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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