DTD743EMT2L

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTD743EMT2L
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Livret des spécifications:	DTD743EMT2L.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	832041 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 832041 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

8000 pcs: $0.037

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Spécifications de DTD743EMT2L

Modèle de produit	DTD743EMT2L	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	832041 pcs	Fiche technique	DTD743EMT2L.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	30V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	VMT3
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	4.7 kOhms
Résistance - Base (R1)	4.7 kOhms	Puissance - Max	150mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SOT-723
Autres noms	DTD743EMT2L-ND DTD743EMT2LTR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	260MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	115 @ 100mA, 2V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	200mA	Numéro de pièce de base	DTD743

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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