EMA2T2R

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EMA2T2R
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
Livret des spécifications:	1.EMA2T2R.pdf 2.EMA2T2R.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1017081 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1017081 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de EMA2T2R

Modèle de produit	EMA2T2R	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1017081 pcs	Fiche technique	1.EMA2T2R.pdf 2.EMA2T2R.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	EMT5
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	47 kOhms	Puissance - Max	150mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Autres noms	EMA2T2R-ND EMA2T2RTR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA	Numéro de pièce de base	MA2

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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