EMD2FHAT2R

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EMD2FHAT2R
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Livret des spécifications:	1.EMD2FHAT2R.pdf 2.EMD2FHAT2R.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1729422 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1729422 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de EMD2FHAT2R

Modèle de produit	EMD2FHAT2R	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1729422 pcs	Fiche technique	1.EMD2FHAT2R.pdf 2.EMD2FHAT2R.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	-	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	EMT6
Séries	Automotive, AEC-Q101	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	22 kOhms
Résistance - Base (R1)	22 kOhms	Puissance - Max	150mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SOT-563, SOT-666
Autres noms	EMD2FHAT2RTR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	56 @ 5mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	-
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
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