EML20T2R

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EML20T2R
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 0.15W
Livret des spécifications:	EML20T2R.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	761757 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 761757 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de EML20T2R

Modèle de produit	EML20T2R	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS NPN 0.15W	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	761757 pcs	Fiche technique	EML20T2R.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased + Diode	Package composant fournisseur	EMT6
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms	Puissance - Max	150mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SOT-563, SOT-666
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	250MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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