IMB10AT110

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IMB10AT110
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Livret des spécifications:	1.IMB10AT110.pdf 2.IMB10AT110.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	921742 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 921742 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.038

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15000 pcs: $0.032

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Spécifications de IMB10AT110

Modèle de produit	IMB10AT110	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	921742 pcs	Fiche technique	1.IMB10AT110.pdf 2.IMB10AT110.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	SMT6
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms	Puissance - Max	300mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SC-74, SOT-457
Autres noms	IMB10AT110TR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA	Numéro de pièce de base	MB10

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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