R6025FNZ1C9

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	R6025FNZ1C9
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Livret des spécifications:	R6025FNZ1C9.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	11423 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11423 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.567

10 pcs: $2.292

100 pcs: $1.88

500 pcs: $1.522

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Spécifications de R6025FNZ1C9

Modèle de produit	R6025FNZ1C9	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 600V 25A TO247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	11423 pcs	Fiche technique	R6025FNZ1C9.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	25A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX	www.FedEx.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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