RCD100N19TL

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RCD100N19TL
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Livret des spécifications:	RCD100N19TL.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	152432 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 152432 pcs

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Spécifications de RCD100N19TL

Modèle de produit	RCD100N19TL	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 190V 10A CPT3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	152432 pcs	Fiche technique	RCD100N19TL.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	CPT3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	182 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	850mW (Ta), 20W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	RCD100N19TLTR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	190V
Description détaillée	N-Channel 190V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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