RDX100N60FU6

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RDX100N60FU6
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Livret des spécifications:	RDX100N60FU6.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	13561 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 13561 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.251

10 pcs: $2.009

100 pcs: $1.648

500 pcs: $1.334

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Spécifications de RDX100N60FU6

Modèle de produit	RDX100N60FU6	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	13561 pcs	Fiche technique	RDX100N60FU6.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220FM
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	45W (Tc)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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