| Modèle de produit | RF4C050APTR | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 429783 pcs | Fiche technique | 1.RF4C050APTR.pdf2.RF4C050APTR.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | -8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | HUML2020L8 |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-PowerUDFN | Autres noms | Q7763030AZ RF4C050AP RF4C050AP-ND T2198597 |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta) |
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|---|---|---|
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