RJK005N03FRAT146

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RJK005N03FRAT146
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
Livret des spécifications:	1.RJK005N03FRAT146.pdf 2.RJK005N03FRAT146.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	947946 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 947946 pcs

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Spécifications de RJK005N03FRAT146

Modèle de produit	RJK005N03FRAT146	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	947946 pcs	Fiche technique	1.RJK005N03FRAT146.pdf 2.RJK005N03FRAT146.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SMT3
Séries	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	580 mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	200mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	RJK005N03FRAT146TR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 500mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SMT3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	500mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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