RRL025P03FRATR

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RRL025P03FRATR
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	PCH -30V -2.5A POWER MOSFET
Livret des spécifications:	1.RRL025P03FRATR.pdf 2.RRL025P03FRATR.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	209310 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 209310 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.183

10 pcs: $0.155

100 pcs: $0.116

500 pcs: $0.085

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Spécifications de RRL025P03FRATR

Modèle de produit	RRL025P03FRATR	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	PCH -30V -2.5A POWER MOSFET	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	209310 pcs	Fiche technique	1.RRL025P03FRATR.pdf 2.RRL025P03FRATR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TUMT6
Séries	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	6-SMD, Flat Leads	Autres noms	RRL025P03FRACT
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	P-Channel 30V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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