RSQ015N06TR

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RSQ015N06TR
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
Livret des spécifications:	1.RSQ015N06TR.pdf 2.RSQ015N06TR.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	169733 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 169733 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.221

10 pcs: $0.186

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500 pcs: $0.103

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Spécifications de RSQ015N06TR

Modèle de produit	RSQ015N06TR	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	169733 pcs	Fiche technique	1.RSQ015N06TR.pdf 2.RSQ015N06TR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TSMT6 (SC-95)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	600mW (Ta)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Autres noms	RSQ015N06DKR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	N-Channel 60V 1.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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