RXH125N03TB1

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RXH125N03TB1
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Livret des spécifications:	1.RXH125N03TB1.pdf 2.RXH125N03TB1.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	201781 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 201781 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

2500 pcs: $0.187

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Spécifications de RXH125N03TB1

Modèle de produit	RXH125N03TB1	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	201781 pcs	Fiche technique	1.RXH125N03TB1.pdf 2.RXH125N03TB1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SOP
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	12.7nC @ 5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 12.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12.5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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