RZF013P01TL

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RZF013P01TL
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Livret des spécifications:	1.RZF013P01TL.pdf 2.RZF013P01TL.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	205404 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 205404 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.176

10 pcs: $0.123

100 pcs: $0.081

500 pcs: $0.048

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Spécifications de RZF013P01TL

Modèle de produit	RZF013P01TL	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	205404 pcs	Fiche technique	1.RZF013P01TL.pdf 2.RZF013P01TL.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TUMT3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	800mW (Ta)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	3-SMD, Flat Leads	Autres noms	RZF013P01TLDKR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 6V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	12V
Description détaillée	P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.3A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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