RZR025P01TL

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RZR025P01TL
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Livret des spécifications:	RZR025P01TL.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	149848 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 149848 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de RZR025P01TL

Modèle de produit	RZR025P01TL	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	149848 pcs	Fiche technique	RZR025P01TL.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TSMT3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	61 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	SC-96	Autres noms	RZR025P01MGTL RZR025P01TLCT
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 6V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	12V
Description détaillée	P-Channel 12V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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