UMG9NTR

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	UMG9NTR
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Livret des spécifications:	1.UMG9NTR.pdf 2.UMG9NTR.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	898225 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 898225 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.032

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Spécifications de UMG9NTR

Modèle de produit	UMG9NTR	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	898225 pcs	Fiche technique	1.UMG9NTR.pdf 2.UMG9NTR.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	UMT5
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	10 kOhms
Résistance - Base (R1)	10 kOhms	Puissance - Max	150mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	250MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA
Numéro de pièce de base	*MG9

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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