BQ4010YMA-200

N/A

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Présentation du produit

Modèle de produit:	BQ4010YMA-200
Fabricant / marque:	N/A
Description du produit	IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5775 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5775 pcs

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Spécifications de BQ4010YMA-200

Modèle de produit	BQ4010YMA-200	Fabricant	N/A
La description	IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5775 pcs	Fiche technique
Écrire le temps de cycle - Word, Page	200ns	Tension - Alimentation	4.5 V ~ 5.5 V
La technologie	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Package composant fournisseur	28-DIP Module (18.42x37.72)
Séries	-	Emballage	Tray
Package / Boîte	28-DIP Module (0.61", 15.49mm)	Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Type de mémoire	Non-Volatile	Taille mémoire	64Kb (8K x 8)
Interface mémoire	Parallel	Format de mémoire	NVSRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Description détaillée	NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 200ns 28-DIP Module (18.42x37.72)
Numéro de pièce de base	BQ4010	Temps d'accès	200ns

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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