
| Modèle de produit | BQ4013YMA-120 | Fabricant | N/A |
|---|---|---|---|
| La description | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 5342 pcs | Fiche technique | |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 120ns | Tension - Alimentation | 4.5 V ~ 5.5 V |
| La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | Package composant fournisseur | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
| Séries | - | Emballage | Tray |
| Package / Boîte | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) | Autres noms | 296-32844-5 BQ4013YMA-120-ND BQ4013YMA120 |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Type de mémoire | Non-Volatile |
| Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) | Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | NVSRAM | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 120ns 32-DIP Module (18.42x42.8) | Numéro de pièce de base | BQ4013 |
| Temps d'accès | 120ns |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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