CSD13306W

N/A

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Présentation du produit

Modèle de produit:	CSD13306W
Fabricant / marque:	N/A
Description du produit	MOSFET N-CH 12V 3.5A
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	472407 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 472407 pcs

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Spécifications de CSD13306W

Modèle de produit	CSD13306W	Fabricant	N/A
La description	MOSFET N-CH 12V 3.5A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	472407 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA	Vgs (Max)	±10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	6-DSBGA (1x1.5)
Séries	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	1.9W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	6-UFBGA, DSBGA	Autres noms	296-49597-2 CSD13306W-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 6V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	11.2nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	12V
Description détaillée	N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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