CSD25304W1015T

N/A

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Présentation du produit

Modèle de produit:	CSD25304W1015T
Fabricant / marque:	N/A
Description du produit	MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	197815 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 197815 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

250 pcs: $0.148

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Spécifications de CSD25304W1015T

Modèle de produit	CSD25304W1015T	Fabricant	N/A
La description	MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	197815 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	1.15V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	6-DSBGA
Séries	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	750mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	6-UFBGA, DSBGA	Autres noms	296-38024-2
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	595pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4.4nC @ 4.5V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	P-Channel 20V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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