TPS1120DR

N/A

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TPS1120DR
Fabricant / marque:	N/A
Description du produit	MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	93713 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 93713 pcs

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Spécifications de TPS1120DR

Modèle de produit	TPS1120DR	Fabricant	N/A
La description	MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	93713 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-SOIC
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.5A, 10V
Puissance - Max	840mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	296-1352-2 TPS1120DRG4 TPS1120DRG4-ND
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.45nC @ 10V
type de FET	2 P-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	15V	Description détaillée	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 15V 1.17A 840mW Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.17A	Numéro de pièce de base	TPS1120

Mode de transport
Après vente
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