MAQ4125YME-VAO

Microchip Technology

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MAQ4125YME-VAO
Fabricant / marque:	Micrel / Microchip Technology
Description du produit	IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC
Livret des spécifications:	MAQ4125YME-VAO.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	43029 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43029 pcs

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Spécifications de MAQ4125YME-VAO

Modèle de produit	MAQ4125YME-VAO	Fabricant	Microchip Technology
La description	IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	43029 pcs	Fiche technique	MAQ4125YME-VAO.pdf
Tension - Ventilation	8-SOIC-EP	style de la coque	4.5 V ~ 20 V
Séries	Automotive, AEC-Q100	État RoHS	Tube
Rise / Fall Time (Typ)	3A, 3A	Polarisation	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Autres noms	1611-MAQ4125YME 1611-MAQ4125YME-ND	Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TJ)
Nombre de conducteurs	Low-Side	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	2 (1 Year)
Référence fabricant	MAQ4125YME-VAO	Tension logique - VIL, VIH	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Type d'entrée	Inverting, Non-Inverting	Côté haut potentiel - Max (Bootstrap)	11ns, 11ns
Type de porte	2	Description élargie	Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC-EP
La description	IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC	Current - Peak Output (Source, Évier)	0.8V, 2.4V
Canaux par circuit	Independent

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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