EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Micron Technology

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR
Fabricant / marque:	Micron Technology
Description du produit	IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Livret des spécifications:	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	13264 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 13264 pcs

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Spécifications de EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Modèle de produit	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR	Fabricant	Micron Technology
La description	IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	13264 pcs	Fiche technique	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page	-	Tension - Alimentation	1.14 V ~ 1.95 V
La technologie	SDRAM - Mobile LPDDR2	Package composant fournisseur	134-VFBGA (10x11.5)
Séries	-	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	134-VFBGA	Autres noms	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR-ND EDB1332BDBH-1DAAT-F-R-ND EDB1332BDBH-1DAAT-F-RTR
Température de fonctionnement	-40°C ~ 105°C (TC)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Type de mémoire	Volatile
Taille mémoire	1Gb (32M x 32)	Interface mémoire	Parallel
Format de mémoire	DRAM	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)	Fréquence d'horloge	533MHz

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Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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