Micron Technology
| Modèle de produit | EDB4432BBBJ-1D-F-R | Fabricant | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| La description | IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 9260 pcs | Fiche technique | EDB4432BBBJ-1D-F-R.pdf |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - | Tension - Alimentation | 1.14 V ~ 1.95 V |
| La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 | Package composant fournisseur | 134-FBGA (10x11.5) |
| Séries | - | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 134-WFBGA | Autres noms | EDB4432BBBJ-1D-F-R TR EDB4432BBBJ-1D-F-R TR-ND EDB4432BBBJ-1D-F-RTR |
| Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 4Gb (128M x 32) | Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | DRAM | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5) | Fréquence d'horloge | 533MHz |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
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