EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

Micron Technology

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR
Fabricant / marque:	Micron Technology
Description du produit	IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
Livret des spécifications:	EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	18274 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18274 pcs

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Spécifications de EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

Modèle de produit	EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR	Fabricant	Micron Technology
La description	IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	18274 pcs	Fiche technique	EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page	-	Tension - Alimentation	1.14 V ~ 1.95 V
La technologie	SDRAM - Mobile LPDDR2	Package composant fournisseur	168-WFBGA (12x12)
Séries	-	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	168-WFBGA	Autres noms	EDB5432BEPA-1DAAT-F-R EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR-ND EDB5432BEPA-1DAAT-F-R-ND EDB5432BEPA-1DAAT-F-RTR
Température de fonctionnement	-40°C ~ 105°C (TC)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Type de mémoire	Volatile
Taille mémoire	512Mb (16M x 32)	Interface mémoire	Parallel
Format de mémoire	DRAM	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz 168-WFBGA (12x12)	Fréquence d'horloge	533MHz

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Après vente
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