EDY4016AABG-DR-F-R TR

Micron Technology

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EDY4016AABG-DR-F-R TR
Fabricant / marque:	Micron Technology
Description du produit	IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Livret des spécifications:	EDY4016AABG-DR-F-R TR.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	7455 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7455 pcs

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Spécifications de EDY4016AABG-DR-F-R TR

Modèle de produit	EDY4016AABG-DR-F-R TR	Fabricant	Micron Technology
La description	IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	7455 pcs	Fiche technique	EDY4016AABG-DR-F-R TR.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page	-	Tension - Alimentation	1.14 V ~ 1.26 V
La technologie	SDRAM - DDR4	Package composant fournisseur	96-FBGA (7.5x13.5)
Séries	-	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	96-TFBGA	Autres noms	EDY4016AABG-DR-F-R EDY4016AABG-DR-F-R TR-ND EDY4016AABG-DR-F-R-ND EDY4016AABG-DR-F-RTR
Température de fonctionnement	0°C ~ 95°C (TC)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Type de mémoire	Volatile
Taille mémoire	4Gb (256M x 16)	Interface mémoire	Parallel
Format de mémoire	DRAM	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.2GHz 96-FBGA (7.5x13.5)	Fréquence d'horloge	1.2GHz

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Après vente
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