MT47H256M8EB-25E:C

Micron Technology

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MT47H256M8EB-25E:C
Fabricant / marque:	Micron Technology
Description du produit	IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Livret des spécifications:	MT47H256M8EB-25E:C.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4820 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4820 pcs

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1 pcs: $6.519

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Spécifications de MT47H256M8EB-25E:C

Modèle de produit	MT47H256M8EB-25E:C	Fabricant	Micron Technology
La description	IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4820 pcs	Fiche technique	MT47H256M8EB-25E:C.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page	15ns	Tension - Alimentation	1.7 V ~ 1.9 V
La technologie	SDRAM - DDR2	Package composant fournisseur	60-FBGA (9x11.5)
Séries	-	Emballage	Tray
Package / Boîte	60-TFBGA	Autres noms	557-1588 MT47H256M8EB-25E:C-ND
Température de fonctionnement	0°C ~ 85°C (TC)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Type de mémoire	Volatile
Taille mémoire	2Gb (256M x 8)	Interface mémoire	Parallel
Format de mémoire	DRAM	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5)	Fréquence d'horloge	400MHz
Numéro de pièce de base	MT47H256M8	Temps d'accès	400ps

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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