Micron Technology| Modèle de produit | MT49H16M18SJ-25:B | Fabricant | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| La description | IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 4028 pcs | Fiche technique | 1.MT49H16M18SJ-25:B.pdf2.MT49H16M18SJ-25:B.pdf |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - | Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 1.9 V |
| La technologie | DRAM | Package composant fournisseur | 144-FBGA (18.5x11) |
| Séries | - | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | 144-TBGA | Autres noms | 557-1587 MT49H16M18BM-25:B MT49H16M18BM-25:B-ND MT49H16M18BM-33:B MT49H16M18BM-33:B-ND MT49H16M18SJ-25:B-ND |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 288Mb (16M x 18) | Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | DRAM | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | DRAM Memory IC 288Mb (16M x 18) Parallel 400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11) | Fréquence d'horloge | 400MHz |
| Numéro de pièce de base | MT49H16M18 | Temps d'accès | 20ns |
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|---|---|---|
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