NAND512R3A2SZA6E

Micron Technology

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NAND512R3A2SZA6E
Fabricant / marque:	Micron Technology
Description du produit	IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
Livret des spécifications:	NAND512R3A2SZA6E.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	27370 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27370 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1260 pcs: $1.096

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Spécifications de NAND512R3A2SZA6E

Modèle de produit	NAND512R3A2SZA6E	Fabricant	Micron Technology
La description	IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	27370 pcs	Fiche technique	NAND512R3A2SZA6E.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page	50ns	Tension - Alimentation	1.7 V ~ 1.95 V
La technologie	FLASH - NAND	Package composant fournisseur	63-VFBGA (9x11)
Séries	-	Emballage	Tray
Package / Boîte	63-TFBGA	Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)
Type de mémoire	Non-Volatile	Taille mémoire	512Mb (64M x 8)
Interface mémoire	Parallel	Format de mémoire	FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Description détaillée	FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 63-VFBGA (9x11)
Numéro de pièce de base	NAND512	Temps d'accès	50ns

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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