APT10035LLLG

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT10035LLLG
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3097 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3097 pcs

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Spécifications de APT10035LLLG

Modèle de produit	APT10035LLLG	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3097 pcs	Fiche technique
Tension - Test	5185pF @ 25V	Tension - Ventilation	TO-264 [L]
Vgs (th) (Max) @ Id	350 mOhm @ 14A, 10V	La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Séries	POWER MOS 7®	État RoHS	Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28A (Tc)	Polarisation	TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	APT10035LLLG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	186nC @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	5V @ 2.5mA
Fonction FET	N-Channel	Description élargie	N-Channel 1000V (1kV) 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Tension drain-source (Vdss)	-	La description	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1000V (1kV)	Ratio de capacité	690W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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