APT10SCD65KCT

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT10SCD65KCT
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE SILICON 650V 17A TO220
Livret des spécifications:	APT10SCD65KCT.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5617 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5617 pcs

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Spécifications de APT10SCD65KCT

Modèle de produit	APT10SCD65KCT	Fabricant	Microsemi
La description	DIODE SILICON 650V 17A TO220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5617 pcs	Fiche technique	APT10SCD65KCT.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.8V @ 10A	Tension - inverse (Vr) (max)	650V
Package composant fournisseur	TO-220	La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	0ns
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-220-3
Température d'utilisation - Jonction	-55°C ~ 150°C	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type de diode	Silicon Carbide Schottky	Configuration diode	1 Pair Common Cathode
Description détaillée	Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220-3	Courant - fuite, inverse à Vr	200µA @ 650V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	17A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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