APT34F100B2

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT34F100B2
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
Livret des spécifications:	1.APT34F100B2.pdf 2.APT34F100B2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4175 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4175 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de APT34F100B2

Modèle de produit	APT34F100B2	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4175 pcs	Fiche technique	1.APT34F100B2.pdf 2.APT34F100B2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	T-MAX™ [B2]
Séries	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1135W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3 Variant	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9835pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	305nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	1000V	Description détaillée	N-Channel 1000V 35A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	35A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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