APT34N80LC3G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT34N80LC3G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
Livret des spécifications:	1.APT34N80LC3G.pdf 2.APT34N80LC3G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	8533 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8533 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

50 pcs: $3.879

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Spécifications de APT34N80LC3G

Modèle de produit	APT34N80LC3G	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 800V 34A TO-264	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	8533 pcs	Fiche technique	1.APT34N80LC3G.pdf 2.APT34N80LC3G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 2mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-264 [L]
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 22A, 10V
Dissipation de puissance (max)	417W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-264-3, TO-264AA	Autres noms	APT34N80LC3GMI APT34N80LC3GMI-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4510pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	355nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	800V
Description détaillée	N-Channel 800V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-264 [L]	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	34A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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