APTCV60TLM70T3G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTCV60TLM70T3G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	POWER MODULE - IGBT
Livret des spécifications:	APTCV60TLM70T3G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3205 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3205 pcs

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Spécifications de APTCV60TLM70T3G

Modèle de produit	APTCV60TLM70T3G	Fabricant	Microsemi
La description	POWER MODULE - IGBT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3205 pcs	Fiche technique	APTCV60TLM70T3G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur	SP3	Séries	-
Puissance - Max	176W	Package / Boîte	Module
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)	NTC thermistance	Yes
Type de montage	Chassis Mount	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	3.15nF @ 25V	Contribution	Standard
type de IGBT	Trench Field Stop	Description détaillée	IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP3
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	250µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	80A
Configuration	Three Level Inverter

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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