APTGT75DA120D1G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTGT75DA120D1G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	IGBT 1200V 110A 357W D1
Livret des spécifications:	APTGT75DA120D1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5238 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5238 pcs

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Spécifications de APTGT75DA120D1G

Modèle de produit	APTGT75DA120D1G	Fabricant	Microsemi
La description	IGBT 1200V 110A 357W D1	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5238 pcs	Fiche technique	APTGT75DA120D1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1200V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 75A
Package composant fournisseur	D1	Séries	-
Puissance - Max	357W	Package / Boîte	D1
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)	NTC thermistance	No
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	5345nF @ 25V
Contribution	Standard	type de IGBT	Trench Field Stop
Description détaillée	IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount D1	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	4mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	110A	Configuration	Single

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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