APTM100H45STG

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTM100H45STG
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Livret des spécifications:	1.APTM100H45STG.pdf 2.APTM100H45STG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	645 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 645 pcs

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1 pcs: $49.216

10 pcs: $45.999

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Spécifications de APTM100H45STG

Modèle de produit	APTM100H45STG	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	645 pcs	Fiche technique	1.APTM100H45STG.pdf 2.APTM100H45STG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Package composant fournisseur	SP4
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 mOhm @ 9A, 10V
Puissance - Max	357W	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SP4	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	154nC @ 10V	type de FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Fonction FET	Standard	Tension drain-source (Vdss)	1000V (1kV)
Description détaillée	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	18A

Mode de transport
Après vente
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