APTM50DAM19G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTM50DAM19G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 163A SP6
Livret des spécifications:	1.APTM50DAM19G.pdf 2.APTM50DAM19G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	907 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 907 pcs

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Spécifications de APTM50DAM19G

Modèle de produit	APTM50DAM19G	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 500V 163A SP6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	907 pcs	Fiche technique	1.APTM50DAM19G.pdf 2.APTM50DAM19G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 10mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SP6
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.5 mOhm @ 81.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1136W (Tc)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SP6	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	22400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	492nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	500V	Description détaillée	N-Channel 500V 163A (Tc) 1136W (Tc) Chassis Mount SP6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	163A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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