APTMC120AM55CT1AG

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTMC120AM55CT1AG
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Livret des spécifications:	APTMC120AM55CT1AG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	416 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 416 pcs

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Spécifications de APTMC120AM55CT1AG

Modèle de produit	APTMC120AM55CT1AG	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	416 pcs	Fiche technique	APTMC120AM55CT1AG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 2mA (Typ)	Package composant fournisseur	SP1
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	49 mOhm @ 40A, 20V
Puissance - Max	250W	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SP1	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	98nC @ 20V	type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET	Silicon Carbide (SiC)	Tension drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 250W Chassis Mount SP1	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	55A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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