APTMC60TLM14CAG

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTMC60TLM14CAG
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
Livret des spécifications:	APTMC60TLM14CAG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	67 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67 pcs

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100 pcs: $573.719

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Spécifications de APTMC60TLM14CAG

Modèle de produit	APTMC60TLM14CAG	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	67 pcs	Fiche technique	APTMC60TLM14CAG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 30mA (Typ)	Package composant fournisseur	SP6
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 150A, 20V
Puissance - Max	925W	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SP6	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8400pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	483nC @ 20V	type de FET	4 N-Channel (Three Level Inverter)
Fonction FET	Silicon Carbide (SiC)	Tension drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Description détaillée	Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 219A (Tc) 925W Chassis Mount SP6	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	219A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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