JAN1N4150UR-1

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JAN1N4150UR-1
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Livret des spécifications:	JAN1N4150UR-1.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	27850 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27850 pcs

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Spécifications de JAN1N4150UR-1

Modèle de produit	JAN1N4150UR-1	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	27850 pcs	Fiche technique	JAN1N4150UR-1.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	200mA (DC)
Tension - Ventilation	DO-213AA	Séries	Military, MIL-PRF-19500/231
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-213AA
Autres noms	1086-15207-MIL	Température d'utilisation - Jonction	4ns
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	JAN1N4150UR-1	Description élargie	Diode Standard 50V 200mA (DC) Surface Mount DO-213AA
Configuration diode	100nA @ 50V	La description	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Courant - fuite, inverse à Vr	1V @ 200mA	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	50V
Capacité à Vr, F	-65°C ~ 175°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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