Microsemi| Modèle de produit | JAN2N3019S | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN 80V 1A | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / RoHS non conforme |
| Quantité disponible | 3750 pcs | Fiche technique | JAN2N3019S.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 80V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Transistor Type | NPN | Package composant fournisseur | TO-39 |
| Séries | Military, MIL-PRF-19500/391 | Puissance - Max | 800mW |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Autres noms | 1086-2341 1086-2341-MIL Q8035503 Q8545273 |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-39 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10nA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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