JANTXV1N3595AUR-1

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JANTXV1N3595AUR-1
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GP 125V 150MA DO213AA
Livret des spécifications:	JANTXV1N3595AUR-1.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	4980 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4980 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de JANTXV1N3595AUR-1

Modèle de produit	JANTXV1N3595AUR-1	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GP 125V 150MA DO213AA	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	4980 pcs	Fiche technique	JANTXV1N3595AUR-1.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	150mA
Tension - Ventilation	DO-213AA	Séries	Military, MIL-PRF-19500/241
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-213AA
Autres noms	1086-16792 1086-16792-MIL	Température d'utilisation - Jonction	3µs
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	JANTXV1N3595AUR-1	Description élargie	Diode Standard 125V 150mA Surface Mount DO-213AA
Configuration diode	2nA @ 125V	La description	DIODE GP 125V 150MA DO213AA
Courant - fuite, inverse à Vr	920mV @ 100mA	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	125V
Capacité à Vr, F	-65°C ~ 175°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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