JANTXV1N3912

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JANTXV1N3912
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 300V 50A DO5
Livret des spécifications:	JANTXV1N3912.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	4809 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4809 pcs

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Spécifications de JANTXV1N3912

Modèle de produit	JANTXV1N3912	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GEN PURP 300V 50A DO5	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	4809 pcs	Fiche technique	JANTXV1N3912.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	50A
Tension - Ventilation	DO-203AB	Séries	Military, MIL-PRF-19500/308
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-203AB, DO-5, Stud
Autres noms	1086-15715 1086-15715-MIL	Température d'utilisation - Jonction	150ns
Type de montage	Chassis, Stud Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	JANTXV1N3912	Description élargie	Diode Standard 300V 50A Chassis, Stud Mount DO-203AB
Configuration diode	15µA @ 300V	La description	DIODE GEN PURP 300V 50A DO5
Courant - fuite, inverse à Vr	1.4V @ 50A	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	300V
Capacité à Vr, F	-65°C ~ 150°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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