JANTXV1N6620U

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JANTXV1N6620U
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF
Livret des spécifications:
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	6553 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6553 pcs

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Spécifications de JANTXV1N6620U

Modèle de produit	JANTXV1N6620U	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	6553 pcs	Fiche technique
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.2A
Tension - Ventilation	D-5A	Séries	Military, MIL-PRF-19500/585
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	SQ-MELF, A
Autres noms	1086-19955 1086-19955-MIL	Température d'utilisation - Jonction	30ns
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	JANTXV1N6620U	Description élargie	Diode Standard 200V 1.2A Surface Mount D-5A
Configuration diode	500nA @ 200V	La description	DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF
Courant - fuite, inverse à Vr	1.4V @ 1.2A	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	200V
Capacité à Vr, F	-65°C ~ 150°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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