SG2013J-883B

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SG2013J-883B
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Livret des spécifications:	SG2013J-883B.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	1329 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1329 pcs

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Spécifications de SG2013J-883B

Modèle de produit	SG2013J-883B	Fabricant	Microsemi
La description	TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	1329 pcs	Fiche technique	SG2013J-883B.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.9V @ 600µA, 500mA
Transistor Type	7 NPN Darlington	Package composant fournisseur	16-CDIP
Séries	-	Puissance - Max	-
Emballage	Tube	Package / Boîte	-
Autres noms	1259-1108 1259-1108-MIL	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Fréquence - Transition	-
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	900 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	-	Courant - Collecteur (Ic) (max)	600mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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