SG2803J-DESC

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SG2803J-DESC
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Livret des spécifications:	SG2803J-DESC.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3289 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3289 pcs

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Spécifications de SG2803J-DESC

Modèle de produit	SG2803J-DESC	Fabricant	Microsemi
La description	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3289 pcs	Fiche technique	SG2803J-DESC.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
Transistor Type	8 NPN Darlington	Package composant fournisseur	18-CDIP
Séries	-	Puissance - Max	-
Emballage	Tube	Package / Boîte	-
Autres noms	1259-1085 1259-1085-MIL 5962-8605801VA Q10830625 SG2803JDESC	Température de fonctionnement	-55°C ~ 125°C (TA)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	-
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 350mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	-	Courant - Collecteur (Ic) (max)	500mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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